SiC肖特基勢壘二極管

SiC器件具有出色的特性,能夠實現高耐壓、低功耗、高頻動作和高溫動作。使用SiC的功率半導體能夠實現大幅節能和安裝產品的小型化、輕量化。

產品信息

  • 產品信息

SiC-SBD系列

接線 VRRM (V) Io (A)
TO-220

TO-220F

TO-247

T-Pack(s)
單管 650 6 FDCP06S65 FDCA06S65
8 FDCP08S65 FDCA08S65
10 FDCP10S65 FDCA10S65 FDCY10S65 FDCC10S65
25 FDCP25S65 FDCA25S65 FDCY25S65 FDCC25C65
1200 18 FDCA18S120 FDCY18S120
雙管 650 20 FDCP20C65 FDCA20C65 FDCY20C65 FDCC20C65
50     FDCY50C65  
1200 36     FDCY36C120  

:新產品

:更新

:開發中

 


Innovating Energy Technology
Copyright© 2011Fuji Electric (China) Co., Ltd. All Rights Reserved.
滬ICP備15040911號-1

滬公網安備 31010702002305號

vr赛车游戏机 吉林十一选五 优乐江西麻将app 携程股票 河北20选5 今日上证指数走势 北京十一选五*结果 快乐10分走势图云 澳洲彩票幸运10app下载 澳门比分网二合一 118足球比分直播网 aⅴ在线视频男人的天堂 7m足球比分 河北体彩排列五的开奖走势图 3d开奖结果开机号 日本一本道最新电影 黃色一級片